MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
| 工場モデル | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR |
|---|---|
| メーカー | Micron Technology Inc. |
| 詳細な説明 | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA |
| パッケージ | 162-VFBGA (11.5x13) |
| 株式 | 5100 pcs |
| データシート | Label 12/Sep/2016Standard Pkg Label Chg 20/Feb/2019 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicron Technology Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。5100のMicron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TRの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
| 電源電圧 - | 1.8V |
| 技術 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| サプライヤデバイスパッケージ | 162-VFBGA (11.5x13) |
| シリーズ | - |
| パッケージ/ケース | 162-VFBGA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -25°C ~ 85°C (TA) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| メモリタイプ | Non-Volatile, Volatile |
| 記憶容量 | 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDDR2) |
| メモリ組織 | 512M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2) |
| メモリインタフェース | Parallel |
| メモリ形式 | FLASH, RAM |
| クロック周波数 | 533 MHz |
| 基本製品番号 | MT29RZ4B2 |
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